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IMT65R083M1HXUMA1
耐压:650V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R083M1HXUMA1
- 商品编号
- C6968945
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
商品特性
- 大电流下的优化开关特性
- 换向稳健的快速体二极管,Qfr 低
- 出色的栅极氧化层可靠性
- 最高结温 Ti, max = 175°C,热性能优异
- 导通电阻 RDS(on) 和脉冲电流随温度的变化更小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可降低高达 4 倍的开关损耗
应用领域
-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能与电池化成-D 类放大器