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IMW120R007M1HXKSA1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:225A
- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDCC = 225 A at TVj = 25°C。 RDSS(on) = 7 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.2 V。 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压。应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW120R007M1HXKSA1
- 商品编号
- C6968948
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.17uF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 420pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ |