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DMT12H065LFDF-7
1个N沟道 耐压:115V 电流:4.3A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT12H065LFDF-7
- 商品编号
- C6934913
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 115V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 252pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
BLM7G1822S-80AB(G)是一款采用安谱隆（Ampleon）先进的GEN7 LDMOS技术的双路、非对称、两级功率单片微波集成电路（MMIC）。这款多频段器件非常适合作为多尔蒂（Doherty）结构中的小基站末级放大器，或作为1805 MHz至2170 MHz频率范围内的通用驱动放大器。提供鸥翼型和直引脚封装。
商品特性
- 专为宽带工作设计（频率范围1805 MHz至2170 MHz）
- 高通道间隔离度，可实现多种组合
- 得益于2:1的非对称性，具备高多尔蒂效率
- 集成温度补偿偏置电路
- 各级偏置可从外部访问
- 集成静电放电（ESD）保护
- 出色的热稳定性
- 高功率增益
- 片上匹配，使用方便
- 符合关于限制有害物质的2002/95/EC指令（RoHS）
应用领域
- 用于1805 MHz至2170 MHz频率范围的W-CDMA基站的射频功率MMIC。
- 多尔蒂结构中的非对称末级放大器
- 高功率多尔蒂放大器的非对称驱动放大器