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DMT2004UFV-13
1个N沟道 耐压:24V 电流:70A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT2004UFV-13
- 商品编号
- C6934915
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.683nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的 650 V CoolMOS CFD7 扩展了 CFD7 系列的电压等级，是 650 V CoolMOS CFD2 的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7 在 LLC 和移相全桥（ZVS）等谐振开关拓扑中可实现最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7 技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
- 低RDS(ON)— 确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品体积更小
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器