DMTH8028LPSWQ-13
1个N沟道 耐压:80V 电流:41.7A
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- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC Q101 标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:同步整流器、背光照明、电源管理功能、DC - DC 转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH8028LPSWQ-13
- 商品编号
- C6934952
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W;65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 641pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻(RDS(ON)),最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 开关速度快
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 无铅镀层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子设备
- DC-DC转换器
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