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DMT35M4LFDF4-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT35M4LFDF4-13
- 商品编号
- C6934918
- 商品封装
- X2-DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.009nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适用于以下场景： 电机控制
- 背光照明 DC - DC转换器 电源管理功能
商品特性
- 0.4mm 超薄厚度 —— 适用于薄型应用
- 4mm2 PCB 占位面积
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能