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DMT64M1LPSW-13
1个N沟道 耐压:65V 电流:21.8A 电流:81.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT64M1LPSW-13
- 商品编号
- C6934926
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81.7A；21.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W；3.14W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.626nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能