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DMTH6012LPSW-13实物图
  • DMTH6012LPSW-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH6012LPSW-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:11.5A 电流:50.5A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH6012LPSW-13
商品编号
C6934940
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50.5A;11.5A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)53.6W;2.8W
阈值电压(Vgs(th))2.3V
栅极电荷量(Qg)13.6nC@10V
输入电容(Ciss)785pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这些MOSFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再加上快速的开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻(RDS(ON)),最大限度降低导通损耗
  • 低输入电容
  • 开关速度快
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 无铅镀层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性

应用领域

  • 发动机管理系统
  • 车身控制电子设备
  • DC-DC转换器

数据手册PDF