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DMTH6016LK3Q-13实物图
  • DMTH6016LK3Q-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH6016LK3Q-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:10.8A 电流:46.9A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH6016LK3Q-13
商品编号
C6934942
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)46.9A;10.8A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)864pF
反向传输电容(Crss)27.1pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

40N25P采用先进的平面条形DMOS技术和设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

商品特性

  • 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低RDS(ON),确保导通状态损耗最小化
  • 出色的Qgd x RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
  • 无铅表面处理,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 具备PPAP能力

应用领域

  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
  • 背光照明

数据手册PDF