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DMTH69M8LFVW-7实物图
  • DMTH69M8LFVW-7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH69M8LFVW-7

1个N沟道 耐压:60V 电流:15.9A 电流:45.4A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH69M8LFVW-7
商品编号
C6934944
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45.4A;15.9A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)29.4W;3.6W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)33.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.925nF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(R_DS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 额定温度达 +175℃——适用于高环境温度环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试——确保最终应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻
  • 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
  • 可焊侧翼便于光学检测
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
  • 另有符合汽车应用标准的产品型号(DMTH69M8LFVWQ),相关数据手册单独提供

应用领域

-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF