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DMT68M8LPS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:14.1A 69.2A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT68M8LPS-13
- 商品编号
- C6934928
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.1A；69.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W；2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.078nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位感性开关(UIS)测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)——最小化导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 静电放电(ESD)保护栅极
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 同步整流器
- 直流-直流转换器
- 电源管理