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DMTH4008LFDFW-7
1个N沟道 耐压:40V 电流:11.6A
- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用：电源管理功能、DC - DC 转换器、背光照明
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4008LFDFW-7
- 商品编号
- C6934932
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用： 电源管理功能 DC-DC转换器
- 背光照明
商品特性
- 额定温度达 +175℃,适用于高温环境
- 100%非钳位电感开关,生产过程中进行测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON),确保导通损耗最小化
- 0.6mm厚度,适用于薄型应用
- PCB占位面积为 4mm^2
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车标准的产品(DMTH4008LFDFWQ),规格书单独提供