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ME120N10T
停产 ME120N10T
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- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME120N10T
- 商品编号
- C709729
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,90A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.889nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 631pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
ME120N10T是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 5.0mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力