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KND3502A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
KNX3502A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- 在VDS = 4.5V时，RDS(on) = 7 mΩ（典型值）
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理