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KND8103A
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- KIA-8103A是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。KIA30N03B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND8103A
- 商品编号
- C709687
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
KIA - 8103A是具备极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。KIA30N03B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性雪崩测试（EAS），具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 当VDS = 30 V时，RDS(on) = 15 mΩ（典型值）
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 100%通过易感性雪崩测试（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关