温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2310UFB4-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2310UFB4-7B
- 商品编号
- C6225368
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅 0.6mm^2 —— 比SOT23小十三倍
- 厚度0.4mm —— 非常适合薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 负载开关