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DMNH6069SFVWQ-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:18A 电流:5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH6069SFVWQ-7
- 商品编号
- C6225393
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款450V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格，具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿问题。该器件适用的应用场景包括各种电信和通用高压开关电路。
商品特性
~~- 低栅极驱动-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电信-通用高压开关电路-负载开关-不间断电源