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DMP45H150DHE-13
1个P沟道 耐压:450V 电流:250mA
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- 描述
- 这款450V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格，具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP45H150DHE-13
- 商品编号
- C6225413
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 13.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 59.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
-低栅极驱动-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电信-通用高压开关电路-负载开关-不间断电源