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DMT36M1LPS-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:65A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT36M1LPS-13
- 商品编号
- C6225448
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.155nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 456pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——最小化导通损耗
- 出色的Q_gd × RDS(ON)乘积（品质因数）
- 适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 100%非钳位电感开关——确保更高的可靠性
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器