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DMTH6010SK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:70A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6010SK3-13
- 商品编号
- C6225485
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.526克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.841nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175℃，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保最终应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，确保导通损耗降至最低
- 出色的Q_gd × RDS(ON)乘积（品质因数）
- 适用于DC/DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车应用标准的产品（DMTH6010SK3Q），数据手册单独提供
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明