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DMTH69M8LFVWQ-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:45.4A
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- 描述
- 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH69M8LFVWQ-7
- 商品编号
- C6225487
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 438pF |
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