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DMTH43M8LFGQ-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域：电机控制、DC - DC转换器、电源管理。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH43M8LFGQ-13
- 商品编号
- C6225474
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.798nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 904pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高温环境
- 100%非钳位电感开关测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),确保导通状态下的损耗最小化
- 具备出色的栅漏电荷QGD与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电机控制-直流-直流转换器-电源管理