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DMT32M4LPSW-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT32M4LPSW-13
- 商品编号
- C6225446
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W；2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.944nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 186pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、DC - DC转换器、电源管理。
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热高效封装，应用运行更凉爽
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm，适用于轻薄应用
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- DMNH6008SPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，且在通过IATF16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电机控制-DC-DC转换器-电源管理