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DMT10H032LSS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H032LSS-13
- 商品编号
- C6225436
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 683pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 适用于电源应用的高BVdss额定值
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电机控制-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能
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