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DMT10H009SSS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A 电流:12A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H009SSS-13
- 商品编号
- C6225434
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高转换效率
- 低RDS(ON) — 最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 高频开关
- 同步整流
- DC-DC转换器
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