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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.293nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 为开关应用提供出色的导通电阻-栅极电荷品质因数（FOM）
- 100%进行栅极电阻测试
应用领域
- 电池充电与管理
- 负载开关
- DC/DC转换器
- 电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
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