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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.293nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON),确保导通状态损耗最小化
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品更小巧
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- DMPH6050SFGQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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