温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3060LW-7
耐压:30V 电流:2.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3060LW-7
- 商品编号
- C6225376
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET：额定电压 2.5 V
- 低导通电阻 RDS(on)，仅 3.3 mΩ
- 低栅极电阻
- 100% 进行栅极电阻测试
应用领域
- 同步整流-低输出电压同步整流