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DMN53D0U-13
1个N沟道 耐压:50V 电流:300mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN53D0U-13
- 商品编号
- C6225382
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@2.5V,50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 520mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC | |
| 输入电容(Ciss) | 37.1pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-N沟道MOSFET-低导通电阻-极低的栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性