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DMN601WKQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于电机控制、电源管理功能和背光。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN601WKQ-13
- 商品编号
- C6225385
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- 低漏源导通电阻 (RDS(on)) 的 N 沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 具备静电放电 (ESD) 保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超便携式电子设备的电池管理