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DMN63D1LT-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN63D1LT-7
- 商品编号
- C6225387
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V；3Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 392pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4.2pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻：RDS(ON)
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
-电机控制-电源管理功能