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DMN3110SQ-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.3A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：通用接口、开关电源管理功能、升压应用、模拟开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3110SQ-7
- 商品编号
- C6225378
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 305.8pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 静电放电保护栅极，1KV（人体模型）
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准