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DMN3060LCA3-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.9A
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- 描述
- 这款新一代MOSFET专为在手持和移动应用中减小占位面积而设计。该器件可用于替代许多占位面积极小的小信号MOSFET。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3060LCA3-7
- 商品编号
- C6225374
- 商品封装
- X4-DSN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 830mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.118nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 128pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品特性
- 直接敷铜陶瓷基板（DCB）上的硅芯片
- 隔离安装面
- 2500V~电气隔离
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 快速本征整流器
- 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
- 电流调节器
- 电池充电器应用