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DMN3028L-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3028L-13
- 商品编号
- C6225372
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 860mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 12A，当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS|ON） < 10mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的优质封装