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DMN10H220LQ-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.6A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H220LQ-13
- 商品编号
- C6225361
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 401pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准-具备PPAP能力
应用领域
-负载开关