APT20M120JCU3
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:20A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT20M120JCU3
- 商品编号
- C6124805
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 672mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 543W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.736nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- Power MOS 8TM MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 碳化硅(SiC)肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压(VF)具有正温度系数
- ISOTOP 封装(SOT - 227)
- 极低的杂散电感
- 高度集成
- 高频工作时性能卓越
- 温度特性稳定
- 坚固耐用
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 由于集电极 - 发射极饱和电压(VCEsat)具有正温度系数,易于并联
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源