APTM120DA30CT1G
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:31A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM120DA30CT1G
- 商品编号
- C6124824
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 657W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 560nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.56nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- Power MOS 8TM MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 高耐用性
- 碳化硅(SiC)肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向压降(VF)具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 高度集成
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正