APT58F50J
1个N沟道 耐压:500V 电流:58A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT58F50J
- 商品编号
- C6125226
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 540W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 340nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为791 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升Doherty应用的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于791 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器