商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.507nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 超结MOSFET
- 超低 RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 非常耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻,用于温度监测
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正
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