商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 560nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.56nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 功率MOS V型MOSFET
- 低导通电阻RDSon
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 坚固耐用
- 开尔文源极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引线框架
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 高集成度
应用领域
- 交流和直流电机控制-开关模式电源
相似推荐
其他推荐