商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 560nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.56nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- Power MOS 8TM 功率MOSFET
- 低导通电阻RDSon
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 具备雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 极低的杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 高度集成
应用领域
-交流和直流电机控制-开关电源-功率因数校正
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