商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 417A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,208.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.56kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 560nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.8nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用流行的SOT - 227封装
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