APT80F60J
1个N沟道 耐压:600V 电流:84A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT80F60J
- 商品编号
- C6125227
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 961W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 598nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23.994nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一款200 W LDMOS射频功率晶体管，适用于广播发射机和工业应用。该晶体管可在从HF到860 MHz的宽带应用中提供200 W功率。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字发射机应用。
商品特性
- 快速开关,低 EMI
- 低 trr,高可靠性
- 超低 Crss,提升抗噪能力
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ZVS 移相及其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路