APT50N60JCCU2
1个N沟道 耐压:600V 电流:50A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT50N60JCCU2
- 商品编号
- C6125224
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
AOD8N25和AOI8N25采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），并具有可靠的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。它们非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 超低导通电阻(RDSon)
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向压降(VF)具有正温度系数
- ISOTOP封装(SOT - 227)
- 极低杂散电感
- 高集成度
- 高频工作时性能卓越
- 温度特性稳定
- 坚固耐用
- 可直接安装到散热片上(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 由于集电极 - 发射极饱和电压(VCEsat)的正温度系数,易于并联
- 符合RoHS标准
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正
- 制动开关