APT5010JVRU2
1个N沟道 耐压:500V 电流:44A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT5010JVRU2
- 商品编号
- C6124809
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 312nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.41nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOD256采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。