APT56F50B2
1个N沟道 耐压:500V 电流:56A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT56F50B2
- 商品编号
- C6124813
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 780W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 最新的沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 在4.5 V栅源电压（VGS）下具有极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 低EMI的快速开关
- 低trr以实现高可靠性
- 超低Crss以提高抗噪性
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合RoHS标准
应用领域
- ZVS移相和其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正(PFC)和其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路