TK28V65W,LQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:27.6A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK28V65W,LQ
- 商品编号
- C5798192
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,13.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@300V |
商品概述
碳化硅（SiC）功率MOSFET产品线提升了相对于硅MOSFET和硅IGBT解决方案的性能，同时降低了高压应用的总体拥有成本。MSC080SMA120J器件是一款采用SOT - 227封装的1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。
商品特性
- 低电容和低栅极电荷
- 由于内部栅极电阻（ESR）低，开关速度快
- 在高结温（T_J(max) = 175°C）下稳定运行
- 快速可靠的体二极管
- 出色的雪崩耐量
- 符合RoHS标准
- 隔离电压达2500 V
应用领域
- 光伏逆变器、转换器和工业电机驱动-智能电网输配电-感应加热和焊接-混合动力/电动汽车动力系统和电动汽车充电器-电源和配电