TK28V65W,LQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:27.6A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK28V65W,LQ
- 商品编号
- C5798192
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
商品概述
碳化硅（SiC）功率MOSFET产品线提升了相对于硅MOSFET和硅IGBT解决方案的性能，同时降低了高压应用的总体拥有成本。MSC080SMA120J器件是一款采用SOT - 227封装的1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.099Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.6 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- TK2R4A08QM,S4X
- TK2R9E10PL,S1X
- TK33S10N1L,LQ
- TK34E10N1,S1X
- TK3A60DA(STA4,Q,M)
- TK3R1P04PL,RQ
- TK560P65Y,RQ
- TK5P65W,RQ
- TK6A53D(STA4,Q,M)
- TK7A55D(STA4,Q,M)
- TMM-111-03-T-D
- TMM-111-04-G-D
- TMM-111-05-G-D-SM
- TMM-111-05-L-D
- TMM-111-05-S-D
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- TMM-111-06-S-D-SM
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