TK28V65W,LQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:27.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK28V65W,LQ
- 商品编号
- C5798192
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
商品概述
碳化硅（SiC）功率MOSFET产品线提升了相对于硅MOSFET和硅IGBT解决方案的性能，同时降低了高压应用的总体拥有成本。MSC080SMA120J器件是一款采用SOT - 227封装的1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.099Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.6 mA)
应用领域
- 开关稳压器