TK3A60DA(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:600V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK3A60DA(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C5798204
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.2Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 1.5 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600 V)
- 增强型:Vth = 2.4 至 4.4 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
- 汽车领域-开关稳压器-DC-DC转换器-电机驱动器
- TK3R1P04PL,RQ
- TK560P65Y,RQ
- TK5P65W,RQ
- TK6A53D(STA4,Q,M)
- TK7A55D(STA4,Q,M)
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- TMM-111-06-S-D-SM
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