TPN1110ENH,L1Q
1个N沟道 耐压:200V 电流:7.2A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN1110ENH,L1Q
- 商品编号
- C5802629
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW；39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@100V |
商品特性
- 超低导通电阻
- 可焊侧翼引脚，增强自动光学检测（AOI）效果
- 100%进行非钳位电感开关（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- 工作结温可达175°C
- 符合RoHS标准
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
- 直流-直流转换器
- 螺线管和电机驱动器
- 负载开关