TPW1R005PL,L1Q
TPW1R005PL,L1Q
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPW1R005PL,L1Q
- 商品编号
- C5802971
- 商品封装
- DSOPADVANCE-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.257172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.86nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRLML2502采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。源极引脚相互分离，以便实现源极的开尔文连接，可用于旁路源极电感。
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷:QSW = 34 nC(典型值)
- 小输出电荷:Qoss = 98 nC(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.75 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 45 V)
- 增强型模式:Vth = 1.4 至 2.4 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器