TPN22006NH,LQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN22006NH,LQ
- 商品编号
- C5802632
- 商品封装
- TSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW；18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@30V |
商品概述
MwT-PH9F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（Pseudomorphic-High-Electron-Mobility-Transistor，pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为750微米，非常适合需要高增益和功率的应用，工作频率范围可达18 GHz，功率输出范围为400至500毫瓦。该器件在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并经过钝化处理，以确保出色的可靠性。
商品特性
- 在12 GHz时典型输出功率为28 dBm
- 在12 GHz时典型小信号增益为13 dB
- 在12 GHz时典型功率附加效率为45%
- 0.25 x 750微米难熔金属/金栅极
- 非常适合功率、增益和高功率附加效率应用