TK3R1P04PL,RQ
1个N沟道 耐压:40V 电流:58A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK3R1P04PL,RQ
- 商品编号
- C5798206
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V,29A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.67nF@20V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 极快的开关速度
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路